英飛凌H25R1202清單

功率大的半導體元器件對溫度比較敏感、怕高溫，太熱非常容易毀壞，因此大電流下將工作電壓減少（既功耗更小）會更經久耐用，假如功耗過大發燙比較嚴重，必定使用壽命減少，穩定性差。下面的圖中的電源電路運用大電流下，測試全橋與IGBT的損耗，壓降減少以后，必定作用小，更靠譜。數字萬用表給予的測試工作電壓低，測試電流小，測試有局限。

電滋爐常見全橋為15A/600V ~ 25A/800V，IGBT一般為15A~25A/1200V，以2100W電滋爐為例子，Io≈9A（由于電磁爐功率要素不太可能為I，因此輸出功率÷工作電壓獲得的電流值，做為估計值），實際上測試數據如下所示（實驗以貼近真正的工作中電流為目地）：

以英飛凌（西門子PLC）的IGBT管的壓減少，功耗更小，更靠譜，散熱器還可以相對性小一點，銷售市場上所說的英飛凌H25R1202清單是假品。

因為元器件的高頻率特點與抗壓主要參數沒法精確測量，此方式崗位選擇元器件給予一個參照。